[发明专利]一种三维存储器结构的制备方法

摘要

本发明提供一种三维存储器的制备方法，涉及集成电路的存储器制作技术领域，包含一衬底，于所述衬底上形成逻辑电路层，并于所述逻辑电路层上形成易失性存储层，随后于所述易失性存储层上形成三维存储层；所述易失性存储层中包括多个第一存储单元，所述第一存储单元为eDRAM存储单元；所述三维存储层中包括多个第二存储单元，所述第二存储单元为3D NAND存储单元；采用所述第一存储单元作为所述第二存储单元的缓存；每个所述第一存储单元包括一读晶体管、一写晶体管以及一电容，采用2T1C结构形成。本发明的有益效果：优化了三维存储器的制备方法，有效提高了三维存储器的读写性能和使用寿命。

主权项

1.一种三维存储器结构的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1，制备一衬底；步骤S2，于所述衬底上制备形成一逻辑电路层；步骤S3，于所述逻辑电路层上制备形成一易失性存储层，所述易失性存储层中包括多个第一存储单元，所述第一存储单元为eDRAM存储单元；步骤S4，于所述易失性存储层上制备形成一三维存储层，以形成所述三维存储器结构，所述三维存储层中包括多个第二存储单元，所述第二存储单元为3D NAND存储单元；采用所述第一存储单元作为所述第二存储单元的缓存；每个所述第一存储单元包括一读晶体管、一写晶体管以及一电容，采用2T1C结构形成；针对每个所述第一存储单元，所述读晶体管和所述写晶体管分别制备在不同的晶圆上，随后采用晶圆拼接的方式形成所述第一存储单元；采用晶圆拼接形成的所述第一存储单元中，所述读晶体管和所述写晶体管在空间上上下垂直放置。