[发明专利]基片处理装置在审
| 申请号： | 201910413531.6 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110517952A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 古闲法久 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67;G03F7/20 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明说明一种能够抑制臭氧的产生并且有效地处理基片的基片处理装置。基片处理装置包括：能够进行基片的处理的处理室；包含光源的光源室，其中该光源能够对基片的表面照射真空紫外光；能够对光源室内供给非活性气体的气体供给部；和控制部，其执行控制气体供给部以使得将光源室内维持为非活性气体气氛的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 光源 基片处理装置 气体供给部 非活性气体气氛 室内 非活性气体 真空紫外光 表面照射 光源室 有效地 臭氧 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n进行基片的处理的处理室；/n光源室，其包含对所述基片的表面照射真空紫外光的光源；/n对所述光源室内供给非活性气体的气体供给部；和/n控制部，其执行控制所述气体供给部以使得将所述光源室内维持为非活性气体气氛的处理。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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