[发明专利]一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器

摘要

本发明涉及一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器，包括由下至上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂i‑Alx1Ga1‑x1N缓冲层、n型n‑Alx2Ga1‑x2N层、非掺杂i‑Alx3Ga1‑x3N吸收层、双掺杂Al组分渐变p‑Alx4Ga1‑x4N/i‑Alx5Ga1‑x5N/n‑Alx6Ga1‑x6N分离层、非掺杂i‑Alx7Ga1‑x7N倍增层、p型p‑Alx8Ga1‑x8N层以及p型GaN层；在n型n‑Alx1Ga1‑x1N层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，其中x1x2=x3=x4x5x6=x7x8，通过对分离层两端的Al组分渐变区域分别进行p型掺杂和n型掺杂，可利用组分渐变伴随的极化诱导效应，增加载流子浓度，进一步增强极化电场。

主权项

1.一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底(101)、AlN中间层(102)、非掺杂i‑Al_x1Ga_1‑x1N缓冲层(103)、n型n‑Al_x2Ga_1‑x2N层(104)、非掺杂i‑Al_x3Ga_1‑x3N吸收层(105)、双掺杂Al组分渐变p‑Al_x4Ga_1‑x4N/i‑Al_x5Ga_1‑x5N/n‑Al_x6Ga_1‑x6N分离层(106)、非掺杂i‑Al_x7Ga_1‑x7N倍增层(107)、p型p‑Al_x8Ga_1‑x8N层(108)以及p型GaN层(109)；在n型n‑Al_x1Ga_1‑x1N层(104)上引出n型欧姆电极(110)，在p型GaN层(109)上引出p型欧姆电极(111)，其中x1、x2、x3、x4、x5、x6、x7、x8满足x1>x2=x3=x4>x5>x6=x7>x8。