[发明专利]一种巨介电薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201910414063.4 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110148632A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;陈卓;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种巨介电薄膜晶体管，设置有栅极和半导体以及位于栅极和半导体层之间的栅绝缘层。所述栅绝缘层为采用巨介电材料作为栅绝缘层。巨介电材料处于陶瓷块状态时，在频率1kHz下相对介电常数大于10000，巨介电材料处于薄膜状态时，在1kHz下相对介电常数大于500。所述巨介电材料为非铁电陶瓷材料。与离子双电层作为TFT的栅绝缘层相比，本发明的巨介电薄膜晶体管具有频率响应好的优势，反相器频率响应大于500Hz，并且低耗电路，因此在显示器领域中具有良好的应用潜力。同时本发明的巨介电薄膜晶体管采用为非铁电材料制备而成，因此无迟滞现象。 | ||
| 搜索关键词： | 巨介电材料 介电薄膜 栅绝缘层 晶体管 相对介电常数 频率响应 非铁 电陶瓷材料 半导体层 薄膜状态 应用潜力 电材料 反相器 双电层 陶瓷块 状态时 迟滞 制备 显示器 半导体 离子 电路 | ||
【主权项】：
1.一种巨介电薄膜晶体管,其特征在于：设置有栅极和半导体以及位于栅极和半导体层之间的栅绝缘层；所述栅绝缘层采用巨介电材料作为栅绝缘层；巨介电材料处于陶瓷块状态时，在频率1kHz下相对介电常数大于10000，巨介电材料处于薄膜状态时，在1kHz下相对介电常数大于500；所述巨介电材料为非铁电陶瓷材料。
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