[发明专利]一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201910414264.4 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110016720B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张俐楠;朱伟华;刘红英;陈超;吴立群;王洪成 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B30/00 | 分类号： | C30B30/00 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种内部球形缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法。包括：S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔；S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置，所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器；S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率，通过热‑声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。本发明针对恒温环境下硅基光子晶体内部空腔的成型常存在形状不定和位置偏移等问题，引入超声驻波来定位内部缺陷结构成型的位置，从而实现硅基内部产生周期性规则排列的空腔结构，为高Q值的硅基三维光子晶体内部腔体位置的调控提供新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内部 缺陷 规则 排列 三维 光子 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔；S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置，所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器；S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率，通过热‑声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。
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