[发明专利]研磨方法、抛光液的评价方法、对应装置及硅片在审
| 申请号： | 201910414325.7 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110153871A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 白宗权 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种研磨方法、抛光液的评价方法、对应装置及硅片，研磨方法包括：抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定抛光液中研磨粒的粒径分布参数；判断粒径分布参数是否小于预设的临界值；若粒径分布参数小于预设的临界值，则继续利用抛光液对下一批零件进行研磨；若粒径分布参数大于或等于预设的临界值，则将抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用第一抛光液对下一批零件进行研磨。这样通过调整工艺条件来循环使用抛光液，不需要频繁更换抛光液，可以延长抛光液的使用时间，可以保证零件的良率稳定性，提高了零件的生产率并降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光液 研磨 预设 粒径分布 对应装置 硅片 表面研磨 工艺条件 研磨粒 良率 生产成本 保证 | ||
【主权项】：
1.一种研磨方法，其特征在于，包括：抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对下一批零件进行研磨。
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