[发明专利]一种基于多铁异质结交换偏置效应的电写磁读存储器有效
申请号: | 201910415264.6 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110112287B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 傅邱云;仲世豪;周令 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于磁性材料与元器件技术领域,更具体地,涉及一种基于多铁异质结交换偏置效应的电写磁读存储器。其自下而上依次包括铁电单晶衬底、底电极、多铁层、磁性固定层、磁性绝缘层和磁性自由层,巧妙地将具有自旋阀效应和具有交换偏置效应的器件结构整合在一起,同时两种结构中的磁性固定层为共用结构层,该磁性固定层与多铁层构成多铁/铁磁性异质结功能层,发挥主要钉扎功能,还与磁性绝缘层和磁性自由层构成自旋阀结构,实现高低阻态的变化。其中电控异质结结构中由于交换偏置效应和磁电耦合效应存在,通过对底顶电极施加方向相反的电场后,会得到两层铁磁层的高阻态,低阻态两种状态,可以运用于非易失、及低功耗的电控磁存储器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 多铁异质 结交 偏置 效应 电写磁读 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种基于多铁异质交换偏置效应的电写磁读存储器,其特征在于,自下而上包括:铁电单晶衬底;设置在所述铁电单晶衬底表面的底电极层;设置在所述底电极层表面的多铁层;设置在所述多铁层表面的磁性固定层;设置在所述磁性固定层表面的磁性绝缘层以及设置在所述磁性绝缘层上的磁性自由层。
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