[发明专利]一种蚀刻装置有效
| 申请号： | 201910416261.4 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110190011B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 林钦遵 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻装置，该蚀刻装置包括：蚀刻室，所述蚀刻室内容纳有蚀刻液；所述蚀刻室的相对的两个侧壁上分别设置有入口和出口，所述出口的位置与所述入口的位置对应；所述出口和所述入口处均设置有阻挡部，所述阻挡部包括第一子阻挡部和第二子阻挡部，所述第一子阻挡部位于所述出口或所述入口的靠近所述基板的一侧，其中所述蚀刻室内设置有基板；传输装置，设于所述基板的下方，所述传输装置包括至少一第一滚轮和至少一第二滚轮，所述第一滚轮的直径大于所述第二滚轮的直径，所述第一滚轮的顶部的初始高度与所述第一子阻挡部的顶部的初始高度相等。本发明的蚀刻装置，能够避免在蚀刻中产生Mura，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：蚀刻室，所述蚀刻室内容纳有蚀刻液；所述蚀刻室的相对的两个侧壁上分别设置有入口和出口，所述出口的位置与所述入口的位置对应；所述出口和所述入口处均设置有阻挡部，所述阻挡部包括第一子阻挡部和第二子阻挡部，所述第一子阻挡部位于所述出口或所述入口的靠近所述基板的一侧，其中所述蚀刻室内设置有基板；喷淋部，设于所述蚀刻室的上方；所述喷淋部用于向所述基板喷淋蚀刻液；至少一液刀，设于所述喷淋部和所述基板之间；所述液刀用于向所述基板涂布蚀刻液；传输装置，设于所述基板的下方，所述传输装置包括至少一第一滚轮和至少一第二滚轮，所述第一滚轮的直径大于所述第二滚轮的直径，所述第一滚轮的顶部的初始高度与所述第一子阻挡部的顶部的初始高度相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
