[发明专利]微孔金属箔及其制造方法有效
申请号: | 201910416918.7 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110112422B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 吴振东;焦学胜;陈东风;鞠薇;郭滨传;黎祥银;李奕良 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院;清华海峡研究院(厦门) |
主分类号: | H01M4/80 | 分类号: | H01M4/80;C23F1/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张成新 |
地址: | 102413 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种微孔金属箔的制造方法,包括如下步骤:S1、在金属箔的第一表面覆盖第一掩膜层,在金属箔的第二表面覆盖第二掩膜层,以形成覆膜金属箔;S2、使用荷能重离子对覆膜金属箔进行辐照,以在第一掩膜层和/或第二掩膜层内形成离子径迹;S3、对辐照后的覆膜金属箔进行蚀刻,以在覆膜金属箔上形成微孔;S4、去除经过蚀刻后的覆膜金属箔表面的第一掩膜层和第二掩膜层,得到微孔金属箔。本发明提供的上述制造方法具有成本低、工艺简单,生产效率高等特点;且按照本发明提供的方法制得的微孔金属箔的孔径较小,能够满足将其作为集流体制作电极的需求。 | ||
搜索关键词: | 微孔 金属 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微孔金属箔的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、在金属箔的第一表面覆盖第一掩膜层,在所述金属箔的第二表面覆盖第二掩膜层,以形成覆膜金属箔;S2、使用荷能重离子对所述覆膜金属箔进行辐照,以在所述第一掩膜层和/或所述第二掩膜层内形成离子径迹;S3、对辐照后的所述覆膜金属箔进行蚀刻,以在所述覆膜金属箔上形成微孔;S4、去除经过蚀刻后的所述覆膜金属箔表面的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层,得到微孔金属箔。
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