[发明专利]具有虚设通道区的垂直存储装置有效
| 申请号： | 201910417752.0 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110112137B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 金锺源;林昇炫;姜昌锡;朴泳雨;裵大勋;殷东锡;李宇城;李载悳;任宰佑;崔韩梅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种具有虚设通道区的垂直存储装置，所述存储装置包括：第一基底；第二基底，位于第一基底上；栅电极层和绝缘层，堆叠在第二基底的上表面上；多个第一通道区和多个第二通道区，多个第一通道区位于第一子单元阵列区中，多个第二通道区位于第二子单元阵列区中，第一通道区和第二通道区中的每个在与第二基底的上表面垂直的第一方向上延伸以穿过栅电极层和绝缘层中的至少一些；以及分隔绝缘层，设置在第一子单元阵列区和第二子单元阵列区之间，分隔绝缘层在与第二基底的上表面平行的第二方向上延伸，其中，设置在分隔绝缘层的第一侧上的至少两个第一通道区和设置在分隔绝缘层的第二侧上的至少两个第二通道区是位线未连接到其上的虚设通道区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 虚设 通道 垂直 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一基底，包括多个外围电路装置；第二基底，位于第一基底上；多个栅电极层和多个绝缘层，堆叠在第二基底的上表面上；多个第一通道区和多个第二通道区，所述多个第一通道区位于第一子单元阵列区中，所述多个第二通道区位于第二子单元阵列区中，第一通道区和第二通道区中的每个在与第二基底的上表面垂直的第一方向上延伸以穿过栅电极层和绝缘层中的至少一些；以及分隔绝缘层，设置在第一子单元阵列区和第二子单元阵列区之间，分隔绝缘层在与第二基底的上表面平行的第二方向上延伸，其中，设置在分隔绝缘层的第一侧上的至少两个第一通道区和设置在分隔绝缘层的第二侧上的至少两个第二通道区是位线未连接到其上的虚设通道区。
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