[发明专利]聚苯硫醚基电磁屏蔽复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910417896.6 申请日: 2019-05-20
公开(公告)号: CN110128825B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 王孝军;曹轶;杨杰;杨家操;龙盛如;张刚 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C08L81/02 分类号: C08L81/02;C08L81/06;C08K7/00;C08K3/04;C08K9/10;H05K9/00
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 刘文娟
地址: 610065 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及聚苯硫醚基电磁屏蔽复合材料及其制备方法,属于聚合物基功能复合材料技术领域。本发明解决的技术问题是提供一种力学性能较好的聚苯硫醚基电磁屏蔽复合材料。该复合材料由以下重量份的组分制备而成的具有双逾渗结构的复合材料:聚苯硫醚60~90份,聚芳硫醚砜10~40份,石墨烯纳米片0.5份~3份。本发明通过导电填料的分布结构设计,结合聚苯硫醚自身优异的综合性能,采用特定的原料,特定的配比,得到力学性能和电磁屏蔽性能皆优的高性能特种工程树脂基电磁屏蔽复合材料,彻底解决了导电高分子屏蔽材料力学性能差,难以应用于高温、强腐蚀等恶劣环境中的难题。且该材料的制备工艺简单,成本较低,易于实现,适用于大规模工业化生产。
搜索关键词: 聚苯硫醚基 电磁 屏蔽 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.聚苯硫醚基电磁屏蔽复合材料,其特征在于:该复合材料是由以下重量份的组分制备而成的具有双逾渗结构的复合材料:聚苯硫醚60~90份,聚芳硫醚砜10~40份,石墨烯纳米片0.5份~3份。
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