[发明专利]三维半导体存储器器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910417914.0 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110518014A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李尚勋;金成吉;金智美;申华彦;李晙硕;洪慧垠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张帆<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种三维半导体存储器器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上顺序地形成牺牲图案和源极导电层，在所述源极导电层上形成包括多个绝缘层和多个牺牲层的模具结构，形成穿透所述模具结构的多个垂直结构，形成穿透所述模具结构的沟槽，在所述沟槽的侧壁上形成牺牲隔离物，移除所述牺牲图案以形成水平凹陷区，移除所述牺牲隔离物，以及形成填充所述水平凹陷区的源极导电图案。 | ||
| 搜索关键词： | 模具结构 源极导电层 牺牲图案 凹陷区 隔离物 移除 穿透 绝缘层 三维半导体存储器 垂直结构 导电图案 牺牲层 侧壁 衬底 源极 填充 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造三维半导体存储器器件的方法，包括：/n在衬底上顺序地形成牺牲图案和源极导电层；/n在所述源极导电层上形成包括多个绝缘层和多个牺牲层的模具结构；/n形成穿透所述模具结构的多个垂直结构；/n形成穿透所述模具结构的沟槽；/n在所述沟槽的侧壁上形成牺牲隔离物；/n移除所述牺牲图案以形成水平凹陷区；/n移除所述牺牲隔离物；以及/n形成填充所述水平凹陷区的源极导电图案。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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