[发明专利]显示装置及薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201910417982.7 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110289214A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 刘晋铨;林富良 | 申请（专利权）人： | 友达光电(昆山)有限公司;友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示装置及薄膜晶体管的制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括：(A)提供一基板；(B)在该基板上形成一遮光层，图案化所述遮光层，形成一图案化遮光层；(C)在该基板上形成一缓冲层；(D)在该基板上形成一半导体层，图案化所述半导体层，形成一图案化半导体层；(E)在该基板上形成一绝缘层；(F)在该基板上形成一导电层，图案化所述导电层，形成一图案化导电层；其中，图案化所述遮光层及图案化所述半导体层采用同一掩模。能有效避免显示区域之外薄膜晶体管的光电效应并减少生产过程中的掩模数量。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 图案化 薄膜晶体管 半导体层 遮光层 显示装置 导电层 掩模 绝缘层 图案化半导体层 制造 图案化导电层 图案化遮光层 光电效应 生产过程 显示区域 缓冲层 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(A)提供一基板；(B)在该基板上形成一遮光层，图案化所述遮光层，形成一图案化遮光层；(C)在该基板上形成一缓冲层；(D)在该基板上形成一半导体层，图案化所述半导体层，形成一图案化半导体层；(E)在该基板上形成一绝缘层；(F)在该基板上形成一导电层，图案化所述导电层，形成一图案化导电层；其中，图案化所述遮光层及图案化所述半导体层采用同一掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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