[发明专利]存储器元件的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910418713.2 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111968983B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 易亮;李志国;任驰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/41;H10B41/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器元件的结构及其制造方法。存储器元件的结构包括隧道层，形成在基板上。第一氧/氮/氧层设置在基板上，与所述隧道层相邻。浮置栅设置在所述隧道层上，其中所述浮置栅的边缘部分也设置在所述第一氧/氮/氧层上。第二氧/氮/氧层设置在所述浮置栅上。控制栅设置在所述第二氧/氮/氧层上。隔离层设置在所述浮置栅的第一侧壁上以及所述控制栅的侧壁上。删除栅设置在所述第一氧/氮/氧层上。所述删除栅通过所述隔离层与所述浮置栅与所述控制栅隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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