[发明专利]一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构

摘要

本发明公开了一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构,主要包括：真空外腔室和真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，真空内腔室设置于真空外腔室内；喷淋电极、下电极及基片设置于真空内腔室内，基片位于下电极上且位于喷淋电极下方；真空外腔室和真空内腔室构成反应区和排气区双层的排气结构，真空外腔室和真空内腔室设置有与真空装置连接的排气管道和排气泵组，排气口位于排气区内；反应区和排气区构成不同的真空压差；工作时，反应气体在反应区始终包裹于基片周围，充分反应、沉积后，沿运行轨迹流动到排气区后被排出；这种双层的排气结构，避免了反应区内的工艺气体被污染，保证了膜层厚度的均匀性，膜层组织的致密性，降低了薄膜的内应力。

主权项

1.一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构，其特征在于，包括：真空外腔室（1），腔室密封圈（2），内腔室密封圈（3），真空外腔室（4），腔室上法兰（5），喷淋电极（6），基片（7），下电极（8），内腔室阀门（9），外腔室阀门（10），真空排气泵组（11），排气管道（12），下电极升降系统（13），排气区（14），反应区（15）； 所述真空外腔室（1）和真空内腔室（4）均包括围合成相应腔室的腔壁，所述真空内腔室（4）设置于真空外腔室（1）内；所述喷淋电极（6）和所述下电极（8）及所述基片（7）设置在真空内腔室（4）的内部，所述下电极（8）位于所述喷淋电极（6）的下方，所述基片（7）位于所述下电极（8）的上方；所述真空外腔室（1）和真空内腔室（4）设置有与真空装置连接的排气管道（12）和排气泵组（11）以及下电极升降系统（13）；所述真空外腔室（1）设置有外腔室阀门（10），所述真空内艺腔室（4）设置有内腔室阀门（9）；所述反应区（15），排气区（14）由真空外腔室（1）和真空内腔室（4）及腔室上法兰（5）围合而成。