[发明专利]对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910419613.1 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111968962A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 范聪聪 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/027;H01L21/033;G03F1/42 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法，制造方法包括：沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述标准图形区之间的距离为第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离；遮挡图形，所述遮挡图形位于相邻所述标准图形区之间，且所述遮挡图形与相邻所述标准图形区之间具有间隙。本发明能够减小对准图形中空旷区域的面积，避免由于刻蚀残留物导致的缺陷问题，从而改善对准质量。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 图形 具有 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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