[发明专利]一种硒化锡薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910420412.3 申请日: 2019-05-20
公开(公告)号: CN110117769A 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 丁利苹;杨林泰;张方辉;代康 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/24
代理公司: 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 代理人: 俞晓明
地址: 710021 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种硒化锡薄膜的制备方法,包括以下步骤:将锡原料和硒原料置于不同的反应舟中,再将反应舟和基片置于真空镀膜机内,挡板复位遮住两个反应舟;将真空镀膜机内温度升至685‑750℃,打开遮住硒反应舟的挡板,使硒原料蒸发到基片上形成硒膜,复位硒反应舟的挡板;将真空镀膜机内温度升至2000‑2500℃,打开遮住锡反应舟的挡板,使锡原料蒸发到硒膜上形成锡膜,复位锡反应舟挡板;重复上述过程,直至基片上形成的硒膜和锡膜的总厚度达到18‑22nm时即得到硒化锡薄膜。本发明直接用硒和锡原料通过蒸镀法制备硒化锡薄膜,没有使用任何化学还原剂,安全环保,制备工艺路线简易,具备广泛的应用前景。
搜索关键词: 反应舟 挡板 锡薄膜 硒化 锡原料 复位 硒膜 遮住 真空镀膜机 锡膜 制备 蒸发 基片置于真空 制备工艺路线 化学还原剂 安全环保 镀膜机 蒸镀 简易 重复 应用
【主权项】:
1.一种硒化锡薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将基片置于真空镀膜机内,然后将锡原料和硒原料按照1:1‑2的质量比单独置于不同的反应舟中,再将反应舟置于真空镀膜机内,并使挡板复位遮住两个所述反应舟;步骤2,在1×10‑2‑1×10‑3Pa的真空度下,将真空镀膜机内温度升至685‑750℃,打开遮住硒反应舟的挡板,使硒原料蒸发到基片上形成硒膜,当硒膜厚度达到4‑6nm时,复位硒反应舟的挡板;将真空镀膜机内温度升至2000‑2500℃,打开遮住锡反应舟的挡板,使锡原料蒸发到硒膜上形成锡膜,当硒膜和锡膜的总厚度达到9‑12nm时,停止加热,复位锡反应舟挡板;步骤3,重复步骤2的过程,直至基片上形成的硒膜和锡膜的总厚度达到18‑22nm时即得到所述硒化锡薄膜。
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