[发明专利]一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910420676.9 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110244476A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 刘竞博;凌东雄;莫晨 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/015 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 523808 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器，包括硅基底，硅微纳米结构和二维薄膜材料；硅微纳米结构位于硅基底表面；二维薄膜材料设置于硅微纳米结构上；并且公开了其制备方法。本发明在硅基底上设置硅微纳米结构，利用泵浦光在硅微纳米结构中的陷光效应与多次震荡反馈激发效应，有效提高调制器件对泵浦光激励的光电转化效率，在极低的泵浦光功率下实现对太赫兹波的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 硅微纳米结构 二维薄膜材料 太赫兹调制器 泵浦光 硅基 制备 光电转化效率 泵浦光功率 硅基底表面 调制器件 太赫兹波 陷光 震荡 反馈 调控 激发 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅微纳米结构的太赫兹调制器，其特征在于，包括硅基底，硅微纳米结构和二维薄膜材料；所述硅微纳米结构位于所述硅基底表面；所述二维薄膜材料设置于所述硅微纳米结构上。
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