[发明专利]清洗基材表面的方法在审
| 申请号： | 201910423762.5 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111986982A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 郭肯华;丁鸿泰;连伟佐 | 申请（专利权）人： | 睿明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 黄超;周春发 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明中清洗基材表面的方法主要提供奈米水以及一外力于该基材表面，将位于该基板表面的复数残留粒子移除；最后进行一干燥步骤去除残留于该基材表面的该奈米水，本发明主要利用奈米水来移除清洗经研磨或抛光处理后的一半导体晶圆、一玻璃或一光学镜片等基材，具有较佳的清洗效率，可有效地移除基材表面的残留粒子，也不会让基材上的表面处理或电子线路遭受损害。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 基材 表面 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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