[发明专利]一种硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点光电探测器及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910424387.6 申请日: 2019-05-21
公开(公告)号: CN110190191B 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 米龙飞;王攀 申请(专利权)人: 青岛理工大学
主分类号: H10K30/10 分类号: H10K30/10;H10K85/50;H10K71/00
代理公司: 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 代理人: 宋莲英
地址: 266033 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提出了一种硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点光电探测器及制备方法,涉及光电探测器的技术领域。本发明包括衬底层,在衬底层上设有彼此分隔的两块表面电极;在两块表面电极之间的衬底层上设有二维硫化钼薄膜层,在二维硫化钼薄膜层上还设有铯铅卤量子点层。本发明还提供了上述光电探测器的制备方法,利用配体对量子点薄膜表面进行修饰,从而完成光电探测器的制备。本发明在衬底层上制作所需要的电极,将硫化钼纳米薄膜材料覆盖在衬底上,并在纳米薄膜材料上覆盖铯铅卤钙钛矿量子点薄膜;本发明的光电探测器响应速度快,响应时间小于100μs,灵敏度高,适用范围广;制备方法操作简单,快速高效,简单易行,成本低,绿色环保,适合大规模生产。
搜索关键词: 一种 硫化 铯铅卤钙钛矿 量子 光电 探测器 制备 方法
【主权项】:
1.一种二维硫化钼/铯铅卤钙钛矿量子点复合纳米结构光电探测器,其特征在于:包括衬底层,在衬底层上设有彼此分隔的两块表面电极;在两块表面电极之间的衬底层上设有二维硫化钼薄膜层,在二维硫化钼薄膜层上还设有铯铅卤量子点层。
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