[发明专利]正交误差补偿电路、MEMS传感器读出装置以及MEMS传感器系统在审

专利信息
申请号: 201910424448.9 申请日: 2019-05-21
公开(公告)号: CN110146066A 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 邹波;刘孟良 申请(专利权)人: 深迪半导体(上海)有限公司
主分类号: G01C19/5776 分类号: G01C19/5776
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 杨飞
地址: 201203 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种正交误差补偿电路、MEMS传感器读出装置以及MEMS传感器系统,所述正交误差补偿电路包括两个电荷提供单元,每个所述电荷提供单元对应向MEMS传感器的一个检测电极提供补偿电荷,所述补偿电荷与所述MEMS传感器的正交误差引起的误差电荷相互抵消。本发明提供的正交误差补偿电路、MEMS传感器读出装置以及MEMS传感器系统,可以消除所述MEMS传感器的正交误差干扰,实现利用信号处理过程补偿工艺误差的目的。
搜索关键词: 正交误差补偿 读出装置 电路 电荷提供单元 补偿电荷 正交误差 信号处理过程 工艺误差 检测电极 误差电荷 抵消
【主权项】:
1.一种正交误差补偿电路,用于补偿MEMS传感器的正交误差,所述MEMS传感器包括两个检测电极,其特征在于,包括两个电荷提供单元;每个所述电荷提供单元对应向一个所述检测电极提供补偿电荷,所述补偿电荷与所述正交误差引起的误差电荷相互抵消。
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