[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910424954.8 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110164891A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 方欣欣;夏春秋;柯天麒 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括相邻的第一像素区和第二像素区，所述第一像素区和第二像素区之间具有第一隔离区；位于所述第一像素区第二面表面的第一滤光层，所述第一滤光层的材料为第一滤光层材料；位于所述第二像素区第二面表面的第二滤光层，所述第二滤光层的材料为第二滤光层材料；位于所述第一隔离区内的第一深沟槽隔离结构，所述第一深沟槽隔离结构的顶部位于所述衬底第二面的表面，所述第一深沟槽隔离结构的材料包括第三滤光层材料，第三滤光层材料与第一滤光层材料不同，且第三滤光层材料与第二滤光层材料不同。所述图像传感器的性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 滤光层 像素区 衬底 深沟槽隔离结构 图像传感器 第二面 隔离区 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括相邻的第一像素区和第二像素区，所述第一像素区和第二像素区之间具有第一隔离区；位于所述第一像素区第二面表面的第一滤光层，所述第一滤光层的材料为第一滤光层材料；位于所述第二像素区第二面表面的第二滤光层，所述第二滤光层的材料为第二滤光层材料；位于所述第一隔离区内的第一深沟槽隔离结构，所述第一深沟槽隔离结构的顶部位于所述衬底第二面的表面，所述第一深沟槽隔离结构的材料包括第三滤光层材料，第三滤光层材料与第一滤光层材料不同，且第三滤光层材料与第二滤光层材料不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
