[发明专利]一种多层石墨烯单晶薄膜的生长方法有效
| 申请号： | 201910425005.1 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110106549B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李雪松;沈长青;青芳竹 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/02 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层石墨烯单晶薄膜的生长方法，属于石墨烯薄膜制备技术领域。其包括：1)将铜箔置于氢气气氛中，然后进行升温和退火步骤；(2)退火结束后，维持温度恒定，在铜箔上方持续通入甲烷和氩气的混合气体及氢气，同时在铜箔下方持续通入甲烷和氩气的混合气体及氢气；其中，铜箔下方通入的气体流量低于其上方通入的气体流量。且本发明还包括在铜箔下方通入氧气进行刻蚀再刻蚀处通入甲烷和氩气的混合气体及氢气再生长。本发明的石墨烯单晶薄膜生长方法，对铜箔基底两侧的气体进行精确控制从而控制石墨烯在其生长，进而有效的控制铜箔基底上侧生长石墨烯的层数以及尺寸，其可控性高，且生长的石墨烯单晶薄膜尺寸大、质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 石墨 烯单晶 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层石墨烯单晶薄膜的生长方法，其特征在于，其包括：(1)将铜箔置于氢气气氛中，然后进行升温和退火步骤；(2)退火结束后，维持温度恒定，在铜箔上方持续通入甲烷和氩气的混合气体及氢气，同时在铜箔下方持续通入甲烷和氩气的混合气体及氢气；其中，铜箔下方通入的气体流量低于其上方通入的气体流量。
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