[发明专利]一种碳化硅表面处理方法在审
| 申请号： | 201910425889.0 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110451510A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘骏;刘振华;张海 | 申请（专利权）人： | 湖南太子新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956;C04B35/565;C04B35/626 |
| 代理公司： | 11638 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王新爱<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 415907湖南省常德市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅表面处理方法，包括：步骤一、对碳化硅颗粒进行粉碎并筛选出粒径为5～10μm的碳化硅粉末；步骤二、将所述碳化硅粉末置于温度为700～800℃的马弗炉中进行煅烧，以除去所述碳化硅粉末表面的游离碳；步骤三、对除碳后的碳化硅粉末进行酸洗和碱洗，以对除碳后的碳化硅粉末进行提纯；步骤四、将提纯后的碳化硅粉末分别进行分散浆化、物理分散、沉淀分离、烘干，即得表面处理后的碳化硅微粉。本发明公开的碳化硅表面处理方法能够针对性的除去碳化硅表面的杂质，提高碳化硅微粉的分散性，且成本低，能耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅粉末 碳化硅表面 碳化硅微粉 提纯 碳化硅颗粒 沉淀分离 物理分散 分散浆 分散性 马弗炉 游离碳 烘干 碱洗 粒径 酸洗 煅烧 能耗 筛选 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、对碳化硅颗粒进行粉碎并筛选出粒径为5～10μm的碳化硅粉末；/n步骤二、将所述碳化硅粉末置于温度为700～800℃的马弗炉中进行煅烧，以除去所述碳化硅粉末表面的游离碳；/n步骤三、对除碳后的碳化硅粉末进行酸洗和碱洗，以对除碳后的碳化硅粉末进行提纯；/n步骤四、用有机硅和有机氟作表面活性剂，乙醇、水作溶剂，将有机硅、有机氟、乙醇、水按体积比3:1:4:1的比例加入表面处理反应釜中，再将步骤三得到的碳化硅粉末与上述溶剂按1:2的体积比加入表面处理反应釜中，在温度45-58℃、转速500-800r/min条件下充分搅拌3-5h进行反应；/n步骤五、将所述步骤四表面处理反应得到的碳化硅粉末分别进行分散浆化、物理分散、沉淀分离、烘干，即得表面处理后的碳化硅微粉。/n
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