[发明专利]一种半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201910426060.2 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111987103A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 韩亮;仇圣棻;金龙灿;周朝锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋;方岩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，通过采用多层材料堆叠形成的硬掩膜层，使得在光刻形成第一堆叠结构及第二堆叠结构的过程中，不同的堆叠结构上方的硬掩膜层的厚度差较小。并且在去除所述硬掩膜层后，第一堆叠结构和第二堆叠结构的高度基本相同，隔离层的上表面高于所述第一堆叠结构和第二堆叠结构的层间绝缘层的上表面。由此，能够提高半导体器件的数据保留能力和耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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