[发明专利]量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置在审
| 申请号： | 201910427205.0 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110085757A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 冯靖雯 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置，本发明提供的量子点的最外侧壳层为空穴传输材料，这样可以将该结构的量子点应用于QLED器件的制备中，一方面可以将该量子点的最外层空穴传输材料作为QLED器件中的空穴传输层，减少单独制作一层空穴传输层的工艺，有效简化器件结构与工艺制程；另一方面该量子点的最外层空穴传输材料与QLED器件中的电子传输层相接触，作为电子阻挡层，能够阻挡部分电子传输，解决现有技术中由于电子传输更为高效使电子在QLED器件中成为多子的问题，从而有效促进电子‑空穴注入平衡，提高QLED器件的效率与寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 空穴传输材料 制备 量子点发光器件 空穴传输层 电子传输 相关装置 最外层 空穴 电子传输层 电子阻挡层 单独制作 器件结构 有效促进 注入平衡 外侧壳 制程 阻挡 应用 | ||
【主权项】：
1.一种量子点，其特征在于，包括内核结构和包围所述内核结构的壳层结构，所述壳层结构中最外侧壳层的材料为空穴传输材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910427205.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：背接触式钙钛矿发光二极管
- 下一篇：一种发光器件及其制备方法和应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
