[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910427485.5 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111987141A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 吴俊仪;陈志谚;洪章响;黄嘉庆 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法。此半导体装置包括设置在基板之上的通道层、设置在通道层之上的阻挡层、设置在阻挡层之上的化合物半导体层、设置在化合物半导体层之上的栅极电极、以及设置于栅极电极两侧的源极电极以及漏极电极。上述源极电极以及漏极电极穿过至少一部分阻挡层。此半导体装置亦包括通过源极接触件与源极电极连接的源极场板，其中此源极场板具有一边缘。此半导体装置更包括设置于阻挡层上且位于上述边缘正下方的第一电场重布图案。本发明可增加半导体装置的击穿电压，进而提升半导体装置的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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