[发明专利]半导体器件清洗装置在审
申请号: | 201910427623.X | 申请日: | 2019-05-22 |
公开(公告)号: | CN110112084A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 王玉伟;顾立勋 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳;陈丽丽 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体器件清洗装置。所述半导体器件清洗装置,包括:清洗槽,具有用于承载半导体器件的支撑台;第一管道,用于向所述清洗槽内传输清洗液;第二管道,与所述第一管道连通,用于向所述第一管道传输第一气体,溶解于所述清洗液中的所述第一气体能够产生活性粒子,所述活性粒子用于与所述半导体器件中的颗粒物作用,以去除所述颗粒物。本发明实现了对所述半导体器件中颗粒物的有效清除,减少了颗粒物的残留,提高了所述清洗液的清洗能力。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 颗粒物 第一管道 清洗装置 清洗液 活性粒子 清洗槽 半导体制造技术 第二管道 清洗能力 传输 支撑台 去除 连通 溶解 残留 承载 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件清洗装置,其特征在于,包括:清洗槽,具有用于承载半导体器件的支撑台;第一管道,用于向所述清洗槽内传输清洗液;第二管道,与所述第一管道连通,用于向所述第一管道传输第一气体,溶解于所述清洗液中的所述第一气体能够产生活性粒子,所述活性粒子用于与残留于所述半导体器件中的颗粒物作用,以去除所述颗粒物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910427623.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:离子注入角度监测方法及系统
- 下一篇:一种液体浓度控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造