[发明专利]超低雾度银纳米线薄膜的导电墨水及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201910427745.9 申请日: 2019-05-22
公开(公告)号: CN110128883B 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 杨泽芳;时君;季书林 申请(专利权)人: 南京银纳新材料科技有限公司
主分类号: C09D11/52 分类号: C09D11/52;C09D11/03
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 吴旭
地址: 210000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种超低雾度银纳米线薄膜的导电墨水及其制备方法和应用,该制备方法制得的导电墨水用于制造超低雾度银纳米线薄膜,该制备方法中得到的银纳米线直径为20纳米、长径比为1000;导电墨水制造的薄膜光学透过率高于95%,雾度低于0.5%。本发明中的导电墨水一次成膜达到高清屏所需薄膜的光电性能指标,在导电墨水中添加的硅溶胶,将银纳米线紧密固定在基底上,并在其表面形成一层老化保护层,薄膜的表面硬度达到3H,抗刮擦,而且环境稳定性优良、抗老化。导电墨水的制备方法环保、无污染,不需要高温、真空等昂贵设备,操作简便,利于大规模、低成本推广。
搜索关键词: 超低雾度银 纳米 薄膜 导电 墨水 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种超低雾度银纳米线薄膜的导电墨水,其特征在于,每100ml导电墨水中包含以下组分:银纳米线:50‑1000mg,银纳米线溶剂:90‑99ml,粘度调节剂:0.1‑2g,分散剂:3‑70mg,分散剂溶剂:0.1‑1ml,流平剂:4‑85mg,流平剂溶剂:0.1‑1ml,二氧化硅纳米颗粒:0.2‑8.5g,硅溶胶溶剂:1‑8ml;其中:50‑1000mg 的银纳米线由以下组分制得:PVP:0.4‑20g,硝酸银:0.5‑10g,卤素离子试剂:0.04‑0.8g,乙二醇:132‑1500ml。
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