[发明专利]一种高压功率模块封装结构有效
| 申请号： | 201910428010.8 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110190049B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王来利;侯晓东;赵成;王见鹏;马定坤;杨成子;杨旭 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 发明公开了一种高压功率模块封装结构，其包括自上而下的源极基板芯片子模块、驱动基板、驱动端子、外壳、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动源极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等。本发明结构合理，采用纳米银烧结工艺的新型高压碳化硅封装结构有利于提高压接模块的可靠性；在芯片终端设置绝缘结构以及用固体绝缘材料填充模块提高了器件的耐压性；封装结构集成了驱动基板并实现开尔文连接，提高了驱动的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 模块 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高压功率模块封装结构，其特征在于，包括源极基板(1)、芯片子模块(2)、驱动基板(3)、驱动端子(4)、外壳(5)和漏极基板(6)，驱动基板(3)设置于外壳(5)内，驱动端子(4)与驱动基板(3)连接，驱动端子(4)贯穿外壳(5)并伸出于外壳(5)，源极基板(1)和漏极基板(6)分别与外壳(5)的两端密封连接；所述芯片子模块(2)包括驱动连接基板(7)、功率源极金属块(8)、驱动栅极金属柱(9)、驱动源极金属柱(10)、碳化硅裸片(11)和绝缘结构(12)，驱动栅极金属柱(9)的一端和驱动源极金属柱(10)的一端分别与碳化硅裸片(11)上的栅极(11‑1)和源极(11‑2)烧结，功率源极金属块(8)的一端与碳化硅裸片(11)上的源极(11‑2)烧结，驱动连接基板(7)与驱动栅极金属柱(9)的另一端和驱动源极金属柱(10)的另一端均烧结，碳化硅裸片(11)的四周设置绝缘结构(12)；驱动连接基板(7)与驱动基板(3)烧结，功率源极金属块(8)的另一端贯穿驱动基板(3)并与源极基板(1)烧结，碳化硅裸片(11)的漏极(11‑3)与漏极基板(6)烧结；源极基板(1)、漏极基板(6)和外壳(5)围成的腔体内通过绝缘材料填充。
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