[发明专利]晶圆键合结构以及晶圆键合结构的制作方法

摘要

本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法。所述晶圆键合结构包括：第一晶圆；第一介质层，位于所述第一晶圆上；金属互连结构，位于所述第一介质层中，且所述金属互连结构被分隔成至少两个局部连通的子金属互连结构。所述的晶圆键合结构以及形成方法，将所述金属互连结构的表面分隔为至少两个局部连通的子金属互连结构，不仅实现了个子金属互连结构之间的电连接，还减小了进行键合时键合面的表面积，提高了晶圆之间的电连接质量。

主权项

1.一种晶圆键合结构的形成方法，包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一通孔，所述第一通孔未贯穿所述第一介质层；在所述第一介质层上形成第二掩膜，所述第二掩膜具有第二开口，其中，所述第二开口暴露出所述第一通孔并用于定义第一沟槽，以及所述第二开口中具有分隔图案，所述分隔图案将所述第二开口分隔成至少两个局部连通的子开口；刻蚀所述第一介质层形成所述第一沟槽，以及继续刻蚀所述第一通孔至暴露出所述第一晶圆；去除所述第二掩膜；在所述第一沟槽和第一通孔内形成金属互连结构。