[发明专利]晶体管栅极形状构造方法在审
| 申请号： | 201910428286.6 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110634945A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | M.拉多萨夫耶维奇;邓汉威;S.达斯古普塔;P.费舍尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕传奇;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种晶体管。所述晶体管包括：在衬底上方的栅极的第一部分，所述第一部分具有第一宽度；以及在所述栅极的所述第一部分上方的所述栅极的第二部分，所述第二部分相对于所述栅极的所述第一部分居中并且所述第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度。所述栅极的所述第一部分和所述栅极的所述第二部分形成单个单片T栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 衬底 单片 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：/n在衬底上方的栅极的第一部分，所述第一部分具有第一宽度；以及/n在所述栅极的所述第一部分上方的所述栅极的第二部分，所述第二部分相对于所述栅极的所述第一部分居中并且所述第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中所述栅极的所述第一部分和所述栅极的所述第二部分形成单个单片T栅极结构。/n
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