[发明专利]扩大用于横向电流传导的肖特基二极管横截面积的植入物在审
| 申请号： | 201910428790.6 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110634859A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 邓汉威;S.达斯古普塔;M.拉多萨夫尔杰维奇;P.费希尔;W.哈菲斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张凌苗;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 扩大用于横向电流传导的肖特基二极管横截面积的植入物。公开了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底，在衬底上方的外延层，在外延层上的肖特基势垒材料，延伸到肖特基势垒材料中的肖特基金属接触，在第一方向上延伸的鳍状物结构，具有与第一方向正交的取向的鳍状物结构的第一侧中的第一成角度的植入物，和具有与第一方向正交的取向的鳍状物结构的第二侧中的第二成角度的植入物。第二侧与第一侧相对。第一阴极区和第二阴极区通过在第一方向上延伸的第一成角度的植入物和第二成角度的植入物的部分耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 植入物 鳍状物 半导体器件 肖特基势垒 方向正交 外延层 阴极区 衬底 取向 延伸 肖特基二极管 横向电流 金属接触 耦合 肖特基 传导 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：/n衬底；/n在衬底上方的外延层；/n在外延层上的肖特基势垒材料；/n延伸到肖特基势垒材料中的肖特基金属接触；/n在第一方向上延伸的鳍状物结构；/n具有与第一方向正交的取向的鳍状物结构的第一侧中的第一成角度的植入物；/n具有与第一方向正交的取向的鳍状物结构的第二侧中的第二成角度的植入物，第二侧与第一侧相对；以及/n第一阴极区和第二阴极区，通过在第一方向上延伸的第一成角度的植入物和第二成角度的植入物的部分耦合。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
