[发明专利]一种低功耗高速片上电容LDO电路

摘要

在集成电路设计中，为减少片外器件，常采用片上电容LDO结构；本发明提供一种低功耗高速片上电容LDO电路结构，可以应用在负载变化剧烈和对电源响应速度要求高的场景。

主权项

1.一种电路结构，包括：一种低功耗高速片上电容LDO电路结构，具体电路结构包括：NMOS电流镜M7、M6、M0，PMOS电流镜M8、M3，差分对管M1、M2，功率管MP，反馈电阻R1、R2，负载电容Co，负载电阻RL，补偿电容Cc；M7管的源极接地，漏极和栅极接输入偏置电流IB，并连接到M6、M7的栅极；M6的源极接地，栅极接偏置电流IB，漏极接M8的漏极、栅极和M3的栅极；M0的源极接地，漏极接M1、M2的源极，栅极接偏置电流IB；M8的源极接电源VDD，栅极和漏极接M6的漏极和M3的栅极；M3的源极接电源VDD，漏极接功率管MP的栅极结点VG，源极接M8的漏极、栅极和M6的漏极；功率管MP的栅极结点VG接M3的漏极、M1的漏极和补偿电容Cc的一端，漏极为LDO的输出结点OUT；M1的源极接M0的漏极和M2的源极，漏极接结点VG，栅极接参考电压VREF；M2的源极接M0的漏极和M1的栅极，漏极接结点OUT，栅极接反馈电阻的反馈结点VFB；反馈电阻R1的一端接输出结点OUT，；另一端接反馈电阻R2的一端和M2的栅极作为反馈电阻的反馈结点VFB；反馈电阻R2的一端接反馈结点VFB，另一端接地；负载电容Co的一端接输出结点OUT，另一端接地；负载电阻的一端接输出结点OUT，另一端接地；补偿电容Cc的一端接结点VG，另一端接输出结点OUT。