[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910428920.6 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110676374B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 徐文彬;李明逵 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 马小星 |
| 地址： | 361021 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器技术领域，具体涉及一种阻变存储器及其制备方法。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：在底电极上沉积阻变材料，形成非晶态阻变层；在所述非晶态阻变层上制备纳米管阵列，形成屏蔽层；对形成所述屏蔽层的整体结构进行氧气等离子强化退火处理，将所述非晶态阻变层转为高结晶阵列区；去除所述屏蔽层，并在所述高结晶阵列区的表面制备顶电极，得到阻变存储器。实施例结果表明，本发明提供的阻变存储器稳定性得到显著改善，500次阻变循环后，存储窗口大小的最大变化约为‑1.7％，3000次阻变循环后，存储窗口大小的最大变化约为‑6.3％，显示了较好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器的制备方法，包括以下步骤：/n在底电极上沉积阻变材料，形成非晶态阻变层；/n在所述非晶态阻变层上制备纳米管阵列，形成屏蔽层；/n对形成所述屏蔽层的整体结构进行氧气等离子强化退火处理，将所述非晶态阻变层转为高结晶阵列区；/n去除所述屏蔽层，并在所述高结晶阵列区的表面制备顶电极，得到阻变存储器。/n
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