[发明专利]具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，通过第一串联电极和第二串联电极，实现外延结构上下第一类型半导体层和第二类型半导体层的连接，最终实现不同发光结构之间串联连接，由于第一串联电极和第二串联电极不存在较大高低差而实现水平桥接结构，进而改善制作高压发光二极管时出现的短路和开路情况，进而提高高压发光二极管的可靠性。

主权项

1.一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上生长有外延结构，所述外延结构包括自所述衬底方向依次叠加的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；在所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧形成导电连接层；在所述导电连接层一侧分割为第一发光结构至第N发光结构，任意相邻两个发光结构之间形成隔离槽，所述隔离槽裸露所述衬底，N为不小于2的整数；自所述导电连接层起，在第i发光结构上形成第一连接槽，所述第一连接槽裸露所述第一类型半导体层，i为奇数或偶数，且在i为奇数且N为奇数时所述第一发光结构或所述第N发光结构上无形成所述第一连接槽；在所述导电连接层背离所述衬底一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述隔离槽、所述第i发光结构对应的导电连接层背离所述衬底一侧表面和所述第一连接槽的侧壁，且在i为偶数且N为奇数时，所述第一绝缘层还覆盖所述第N发光结构对应的导电连接层背离所述衬底一侧表面；在所述第一绝缘层背离所述衬底一侧形成多个第一串联电极，其中，自所述第一发光结构起，相邻两个发光结构的第一连接槽处第一类型半导体层和导电连接层通过一所述第一串联电极电连接；在所述第一串联电极和所述第一绝缘层背离所述衬底一侧固定一支撑基板；去除所述衬底；自所述第一类型半导体层起，在所述第i发光结构上形成第二连接槽，所述第二连接槽裸露所述导电连接层，其中，在i为偶数且N为奇数时，同时在所述第N发光结构上形成所述第二连接槽；在所述第一类型半导体层背离所述支撑基板一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第i发光结构对应的第一类型半导体层背离所述支撑基板一侧表面和所述第二连接槽的侧壁，其中，i为奇数且N为奇数时，所述第二绝缘层对应无所述第一连接槽的所述第一发光结构或所述第N发光结构的第一类型半导体层的表面处具有电极镂空区；在所述第二绝缘层背离所述支撑基底一侧形成第一连接电极、第二连接电极和多个第二串联电极，其中，相邻两个发光结构的第二连接槽处导电连接层和第一类型半导体层通过一所述第二串联电极电连接，以使所述第一发光结构至第N发光结构之间串连；其中，i为奇数且N为偶数时，所述第一连接电极与所述第一发光结构的第二连接槽处导电连接层接触，所述第二连接电极与第N发光结构的第一类型半导体层接触；或者，i为奇数、N为奇数且所述第N发光结构上无所述第一连接槽时，所述第一连接电极与所述第一发光结构的第二连接槽处导电连接层接触，所述第二连接电极与所述电极镂空区处第一类型半导体层接触；或者，i为奇数、N为奇数且所述第一发光结构上无所述第一连接槽时，所述第一连接电极与所述电极镂空区处第一类型半导体层接触，所述第二连接电极与所述第N发光结构的第二连接槽处导电连接层接触；或者，i为偶数时，所述第一连接电极与第一发光结构的第一类型半导体层接触，所述第二连接电极与所述第N发光结构的第二连接槽处导电连接层接触。