[发明专利]一种高熵非晶薄膜及制备方法和应用有效
申请号: | 201910429354.0 | 申请日: | 2019-05-22 |
公开(公告)号: | CN110106473B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 王泽;姚远远;彭涛;仇建国;吴建珍;杨桂东;杨晓红;李小平;卢雅琳;雷卫宁;孙志娟;叶霞 | 申请(专利权)人: | 江苏理工学院 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/35 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 王巍巍 |
地址: | 213001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明通过在等原子比的CoCrFeMnNi中引入非金属元素N,磁控溅射法制得了化学组成及原子比为CoCrFeMnNiN |
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搜索关键词: | 一种 高熵非晶 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种高熵非晶薄膜,其特征在于,以等原子比的CoCrFeMnNi合金为靶材,通过磁控溅射引入非金属元素N,得到了化学组成及Co、Cr、Fe、Mn、Ni、N元素原子比为1:1:1:1:1:(0.35~0.75)的CoCrFeMnNiN(0.35~0.75)高熵合金薄膜,所述高熵合金薄膜是非晶态结构的高熵非晶薄膜。
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