[发明专利]一种在微米盘上生长钴酸镍纳米线阵列的复合材料、制备方法及其应用

摘要

本发明提供了一种在微米盘上生长钴酸镍纳米线阵列的复合材料、制备方法及其应用，首先通过水热法获得圆盘状的微片氧化铁结构，再在氧化铁上生长复合钴酸镍纳米阵列，最后高温焙烧获得圆盘侧边生长钴酸镍纳米阵列的复合材料，该材料由钴酸镍纳米阵列组成的三维结构。三维阵列结构可以促进电/离子传输，同时放射状的阵列结构可以提供大量活性位点，缓解材料体积膨胀。该材料应用于电池负极材料，具有良好的循环稳定性和高的比容量。而且，合成过程简单，对实验仪器设备要求低，原料易得到，费用低，可进行批量生产。

主权项

1.一种微米盘上生长钴酸镍纳米线阵列的复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)将铁盐和氢氧化钠置于聚乙二醇和水的混合溶液中，搅拌混匀，再加入钡盐继续搅拌，所得混合溶液水热反应，得到微米级片状结构的氧化铁；2)将步骤1)得到的微片结构的氧化铁除杂质；3)将步骤2)处理后的微片结构的氧化铁与镍源、钴源和尿素一起置于去离子水中，混合后，再加入氟化铵搅拌混匀，然后将得到混合溶液水热反应，反应结束得产物；4)将步骤3)所收集产物在空气氛围下退火焙烧，得到微米盘上生长钴酸镍纳米线阵列的复合材料。