[发明专利]大面积双面硅漂移探测器的加工工艺

摘要

本发明公开了一种大面积双面硅漂移探测器的加工工艺，属于半导体探测器加工技术领域。在制作大面积SDD时按八个步骤进行，包括晶圆吸杂氧化、双面标记制作、正反面P型注入刻蚀、N型阳极注入刻蚀、注入完成后退火、正反面注入区域氧化层全刻蚀、正反面电极制作、快速退火；八个步骤依次进行，最终制得所需要的大面积SDD。本发明能够在大面积双面SDD制作的同时，实现提高晶圆氧化的质量、正反两面的对准精度以及大幅降低引入杂质风险的目的。

主权项

1.一种大面积双面硅漂移探测器的加工工艺，其特征在于，整个工艺在恒温恒湿的百级超净间中进行，包括以下步骤：S1，在氧化炉中对晶圆进行吸杂氧化：对氧化炉多次长时间清洗，同时用高纯氮和高纯氧不间断供给，纯化氧化炉内的气体环境，使空间干燥；设置特殊气体和特殊温度梯度组合，将晶圆放入氧化炉中；分阶段调节氧化炉炉体温度至所需的温度，设置每一阶段的氧化时间，氧化结束后，取出晶圆并在金相显微镜下检查无损后封存；所述特殊气体为含有三氯乙酸的氧气，三氯乙酸含量为1‑2mL/min；所述特殊温度梯度为一个高温‑中温‑高温的梯度，高温的温度范围为1000℃至1200℃，中温的温度范围为700℃至1000℃，氧化时长为36h～72h；S2，分别利用匀胶机、光刻机、显影柜、加热台、刻蚀柜和酸洗柜在所述S1中氧化后的晶圆上制作双面光刻对准标记；S3，对所述S2中处理后的晶圆进行正反面P型注入刻蚀；S4，将所述S3中处理后的晶圆进行N型注入刻蚀；S5，将S4中注入刻蚀后的晶圆利用退火炉进行热退火；S6，将所述S5中热退火后的晶圆进行正反面注入区域氧化层全刻蚀；S7，将所述S6中处理后的晶圆利用磁控溅射仪进行镀铝，再进行正反面电极的制作；S8，将所述S7中处理后的晶圆利用退火炉进行快速退火。