[发明专利]IIIA族元素掺杂CdS的CZTS太阳电池制备方法在审
| 申请号： | 201910431131.8 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110112062A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 韩璐;刘芳洋;蒋良兴;贾明 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/40;H01L21/425;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人： | 曾芳琴 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开一种采用IIIA族元素掺杂硫化镉薄膜的CZTS薄膜太阳电池制备方法，其包括：清洗基底；在清洗后的基底上沉积金属钼作为背电极；在背电极上沉积CZTS前驱体薄膜；将CZTS前驱体薄膜退火处理后，得到CZTS吸收层薄膜；在CZTS吸收层薄膜上沉积CdS薄膜，并采用离子注入法向CdS薄膜中掺入IIIA族元素；将沉积有掺杂CdS的样品退火处理后，在掺杂CdS上沉积窗口层；在窗口层上制备顶电极，获得CZTS薄膜太阳电池。通过掺杂IIIA族元素可以提高CdS的光电性能，还可以拓宽耗尽区宽度，确保高的长波收集效率和光电转换效率。采用离子注入法可以精准控制注入离子的浓度和深度分布，且注入层不会剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 沉积 制备 薄膜太阳电池 离子注入法 前驱体薄膜 退火处理 背电极 窗口层 吸收层 基底 薄膜 清洗 长波 光电转换效率 硫化镉薄膜 沉积金属 光电性能 精准控制 收集效率 注入离子 顶电极 耗尽区 注入层 掺入 剥落 | ||
【主权项】：
1.一种采用IIIA族元素掺杂硫化镉薄膜的CZTS薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗基底；在清洗后的基底上沉积金属钼作为背电极；在背电极上沉积CZTS前驱体薄膜；将CZTS前驱体薄膜退火处理后，得到CZTS吸收层薄膜；在CZTS吸收层薄膜上沉积CdS薄膜，并采用离子注入法向CdS薄膜中掺入IIIA族元素；将沉积有掺杂CdS的样品退火处理后，在掺杂CdS上沉积窗口层；在窗口层上制备顶电极，获得CZTS薄膜太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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