[发明专利]非易失性存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910431266.4 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111180508B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 范德慈;黄义欣;郑育明 | 申请（专利权）人： | 物联记忆体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/788;H10B41/30;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，所述非易失性存储器具有存储单元。存储单元包括源极区与漏极区、选择栅极、虚拟选择栅极、浮置栅极、抹除栅极、控制栅极。选择栅极设置于源极区与漏极区之间的基底上。浮置栅极设置于选择栅极与源极区之间的基底上，且浮置栅极的顶部两侧具有对称的转角部，高度低于选择栅极的高度，抹除栅极设置于源极区上，且抹除栅极包覆源极侧的转角部。控制栅极设置于抹除栅极与浮置栅极上。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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