[发明专利]一种碳化硅陶瓷的放电等离子扩散连接方法在审
| 申请号： | 201910432342.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110041090A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 钟志宏;孙博文;李振;林瑜;宋奎晶 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C04B37/00 | 分类号： | C04B37/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 乔恒婷 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅陶瓷的放电等离子扩散连接方法，其中连接层材料主要由ZrB2和SiC两相组成。复相陶瓷连接层的制备和SiC陶瓷接头的扩散连接同时完成，连接层由ZrH2、B4C及Si粉在高温下原位反应形成，原料配比按质量百分比构成为：B4C 20‑25％，Si 10‑15％，余量为ZrH2。连接层由ZrB2和SiC组成的复相陶瓷构成，具有与SiC陶瓷相近的热物理性能和力学性能，从而实现了良好的界面结合，避免了接头裂纹的形成，提高了接头强度。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散连接 连接层 放电等离子 碳化硅陶瓷 复相陶瓷 连接层材料 热物理性能 质量百分比 接头裂纹 界面结合 力学性能 陶瓷接头 原料配比 原位反应 两相 制备 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅陶瓷的放电等离子扩散连接方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：连接层粉末的制备按配比量称取ZrH2粉、Si以及B4C，倒入玛瑙研磨钵中，以无水酒精为研磨介质，手工研磨3h至完全混合均匀，随后置于真空干燥箱中干燥6h，即得连接层粉末；步骤2：陶瓷块体预处理采用金刚石研磨抛光悬浮液对SiC陶瓷块体的连接面进行抛光，将抛光后的SiC陶瓷块体放入酒精溶液中超声清洗，室温下风干，得到待连接SiC陶瓷块体；步骤3：放电等离子扩散连接按SiC陶瓷/连接层粉末/SiC陶瓷的顺序装配至石墨模具中，再将装配完成的石墨模具放入放电等离子烧结炉中，施加一定的压力，室温下对烧结炉抽真空至20Pa以下，然后升温至放电等离子扩散连接温度，保温一段时间后降温至室温，即可得SiC/复相陶瓷层/SiC扩散焊接头。
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