[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号： | 201910432528.9 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110556311A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 佐田彻也;麻生丰 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高热处理时的基片温度的均匀性的技术。实施方式的基片处理装置包括输送机构、第一热处理部、第二热处理部和排气机构。输送机构平流地输送基片。第一热处理部对被平流地输送来的基片进行热处理。第二热处理部与第一热处理部连续地设置，对由第一热处理部进行了热处理的基片以比第一热处理部低的温度进行热处理。排气机构从第一热处理部的上方进行排气，以使得空气从比第一热处理部靠基片的输送方向的上游侧和第二热处理部侧流向第一热处理部内。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理部 热处理 排气机构 输送机构 平流 基片处理装置 均匀性 排气 上游 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n将基片平流地输送的输送机构；/n对被平流地输送的所述基片进行热处理的第一热处理部；/n与所述第一热处理部连续地设置，对由所述第一热处理部进行了热处理的所述基片以比所述第一热处理部低的温度进行热处理的第二热处理部；和/n排气机构，其从所述第一热处理部的上方进行排气，以使得空气从比所述第一热处理部靠所述基片的输送方向的上游侧和所述第二热处理部侧流向所述第一热处理部内。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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