[发明专利]孔的刻蚀残留物的清洗方法在审
| 申请号： | 201910432629.6 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110265355A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 严磊;龚寒琴 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种孔的刻蚀残留物的清洗方法，包括如下步骤：步骤一、在基底上进行刻蚀形成孔，在孔的底部表面和侧面形成有刻蚀残留的聚合物；步骤二、采用具有还原性的等离子体进行对孔进行处理，利用等离子体的还原性去除聚合物，利用等离子体能深入到孔的内部的特性实现对孔的内部的底部表面和侧面的聚合物的完全清洗。本发明能实现对具有较大深宽比的小尺寸的孔的刻蚀聚合物残留进行完全清洗，从而能提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 聚合物 等离子体 刻蚀残留物 底部表面 还原性 对孔 刻蚀 残留 刻蚀聚合物 侧面 产品良率 等离子 深宽比 基底 种孔 去除 体能 | ||
【主权项】：
1.一种孔的刻蚀残留物的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在基底上进行刻蚀形成孔，在所述孔的底部表面和侧面形成有刻蚀残留的聚合物；步骤二、采用具有还原性的等离子体进行对所述孔进行清洗处理，利用所述等离子体的还原性去除所述聚合物，利用所述等离子体能深入到所述孔的内部的特性实现对所述孔的内部的底部表面和侧面的所述聚合物的完全清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
