[发明专利]一种场效应管应变传感器在审
| 申请号： | 201910432744.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110174193A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 渠开放;江斌;程庆苏;李桂华;吉娜;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G01L1/12 | 分类号： | G01L1/12;G01L9/16 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应管应变传感器，结构包括隔离层，设置于隔离层上表面的源区、第一沟道层、漏区，所述第一沟道层上表面中部设置栅极氧化层，两侧设置第二沟道层；所述栅极氧化层上设置有栅极，所述漏区一侧设置有漏极，所述源区的一侧设置有源极；所述第一沟道层为拓扑绝缘体，第二沟道层为磁性材料；所述栅极氧化层表面施加一向下的力；所述第二沟道层和向下的力形成FM‑strained‑FM结，所述FM‑strained‑FM结与第一沟道层形成FM‑strained‑FM‑TI异质结。本发明的传感器实现了功耗的降低与狄拉克表面态的法布里‑珀罗量子干涉领域的探测应用，对于低功率纳米级应变传感器非常实用。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 应变传感器 栅极氧化层 场效应管 隔离层 上表面 漏区 源区 绝缘体 栅极氧化层表面 传感器实现 磁性材料 两侧设置 量子干涉 表面态 低功率 法布里 纳米级 异质结 功耗 漏极 拓扑 源极 探测 施加 应用 | ||
【主权项】：
1.一种场效应管应变传感器，其特征在于：包括隔离层(1)，设置于隔离层(1)上表面的源区(2)、第一沟道层(3)和漏区(4)，所述第一沟道层(3)上表面中部设置栅极氧化层(5)，两侧设置第二沟道层(6)；所述源区(2)、第二沟道层(6)、栅极氧化层(5)和漏区(4)的上表面齐平；所述栅极氧化层(5)上设置有栅极(7)，所述源区(2)的一侧设置有源极(8)，所述漏区(4)一侧设置有漏极(9)；所述第一沟道层(3)为拓扑绝缘体，所述第二沟道层(6)为磁性材料；所述栅极氧化层(5)表面施加一向下的力。
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