[发明专利]具有用于促进连通性测试的贯穿堆叠互连的半导体装置在审
| 申请号： | 201910432906.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110648934A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | C·N·默尔;S·E·史密斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中揭示具有用于促进连通性测试的贯穿堆叠互连的半导体装置，以及相关联的系统及方法。在一个实施例中，半导体装置包含半导体裸片堆叠及延伸穿过所述堆叠以电耦合所述半导体裸片的多个贯穿堆叠互连。所述互连包含功能互连及至少一个测试互连。所述测试互连定位在比所述功能互连更易于产生连通性缺陷的所述堆叠的部分中。因此，测试所述测试互连的所述连通性可提供所述功能互连的所述连通性的指示。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 堆叠 连通性 测试 半导体裸片 半导体装置 连通性测试 延伸穿过 电耦合 贯穿 关联 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试延伸穿过半导体裸片堆叠的贯穿堆叠互连的连通性的方法，所述方法包括：/n确定延伸穿过所述堆叠的第一部分的第一贯穿堆叠互连的电阻；及/n基于所述所确定的电阻，确定延伸穿过堆叠的第二部分的多个第二贯穿堆叠互连的所述连通性，其中所述堆叠的所述第二部分比所述堆叠的所述第一部分更不易于发生连通性缺陷。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910432906.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
