[发明专利]具有高温阻挡性能的α-Ta涂层的制备方法在审
| 申请号： | 201910432948.7 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110184575A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 潘睿;许敦洲;韩瑞麟;李建亮;熊党生;李航;张夏菲;逄清阳;李嘉俊 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高温阻挡性能的α‑Ta涂层的制备方法。所述方法以高纯Ta材料作为磁控溅射靶材，采用直流磁控溅射方法，在洁净的硅衬底表面进行溅射，背底真空度为2*10‑3Pa以下，工作气压为0.2～0.4Pa，以氩气作为溅射气体，衬底进行400℃～500℃的加热，制得具有高温阻挡性能的α‑Ta涂层。本发明通过基底原位加热辅助磁控溅射制备α‑Ta阻挡涂层，工艺简便且重复性好，制得的α‑Ta涂层具有较好的高温扩散阻挡性能，可以应用在集成电路中作为Cu‑Si器件中的扩散阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡性能 制备 磁控溅射 加热 磁控溅射靶材 背底真空度 硅衬底表面 扩散阻挡层 氩气 采用直流 高温扩散 工作气压 基底原位 溅射气体 阻挡涂层 衬底 高纯 溅射 集成电路 洁净 应用 | ||
【主权项】：
1.具有高温阻挡性能的α‑Ta涂层的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：以高纯Ta材料作为磁控溅射靶材，采用直流磁控溅射方法，在洁净的硅衬底表面进行溅射，背底真空度为2*10‑3Pa以下，工作气压为0.2～0.4Pa，以氩气作为溅射气体，溅射功率为150±10W，衬底进行400℃～500℃的加热，氩气流量为30～40sccm。
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