[发明专利]一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜（Cu2O/CuSCN）异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过对电化学沉积制备的CuSCN光电薄膜进行一定时间下的碱液浸泡处理，促使CuSCN原位反应生成Cu2O，实现了原位构建Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜，在较大程度上解决了CuSCN光电薄膜光生载流子迁移率较低和复合率较高等问题，大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。

主权项

1.一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过碱液浸泡处理CuSCN光电薄膜的方式实现原位构建Cu₂O/CuSCN异质结光电薄膜，具体技术方案如下：/n（1）将CuSO₄∙5H₂O、乙二胺四乙酸与KSCN按一定的摩尔比例依次溶解到去离子水中，搅拌溶解后制备获得前驱体溶液；/n（2）将步骤（1）配制的前驱体溶液转移至配有铂丝对电极、甘汞参比电极和清洗干净的FTO或ITO导电玻璃的三电极体系的电化学反应槽中，利用电化学工作站在导电玻璃表面进行电化学沉积，控制电化学沉积过程中的沉积电位和沉积电量；/n（3）将步骤（2）电化学沉积结束后的导电玻璃取出，用去离子水冲洗3遍，在60 ^oC真空烘箱烘干后，即可获得CuSCN光电薄膜；/n（4）将步骤（3）获得的CuSCN光电薄膜在一定浓度的NaOH强碱溶液中浸泡一段时间，取出后用去离子水冲洗2遍，即可获得原位生长的氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜。/n