[发明专利]相变化记忆体及其制造方法有效
| 申请号： | 201910435046.9 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110164903B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 郑胜鸿;张明丰;杨子澔 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N79/00 | 分类号： | H10N79/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种相变化记忆体及其制造方法。相变化记忆体包括下电极、环形加热器、弧形相变化层、以及上电极。环形加热器设置于下电极上。弧形相变化层设置于环形加热器上，且弧形相变化层与环形加热器在下电极的法线方向上错位。上电极设置于弧形相变化层上。本发明的相变化记忆体制造制程简单，且弧形相变化层与环形加热器之间仅具有一个接触区，可以有效地提高加热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：形成一前驱结构，该前驱结构包含具有一第一开口的一第一介电层；形成一下电极及一环形加热器于该第一开口中，其中该环形加热器设置于该下电极上；形成一环形相变化层于该环形加热器上，其中该环形相变化层与该环形加热器在该下电极的一法线方向上错位，且该环形相变化层具有一第一接触区及一第二接触区分别与该环形加热器接触；移除该环形相变化层的该第一接触区，以形成一弧形相变化层；以及形成一上电极于该弧形相变化层上。
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