[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

摘要

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，该方法通过在形成有薄膜晶体管的衬底基板表面形成一层烷基铝材料液；该烷基铝材料液与水蒸气发生化学反应，生成羟基氧化铝以及烷基气体，羟基氧化铝附着于衬底基板上形成羟基氧化铝薄膜，烷基气体经由反应室的抽气系统排出；之后在羟基氧化铝薄膜上形成氮化硅薄膜，从而形成羟基氧化铝薄膜与氮化硅薄膜复合结构的钝化层。本申请采用羟基氧化铝薄膜代替常规钝化层中的二氧化硅薄膜，从而较低能耗及成本，且能够解决H元素进入铟镓锌氧化物半导体层内影响器件性能的问题。

主权项

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S10，提供一衬底基板，所述衬底基板上制备有阵列分布的薄膜晶体管，将所述衬底基板放入反应室中，在所述衬底基板表面形成一层烷基铝材料液；步骤S20，所述衬底基板表面的所述烷基铝材料液与空气中的水蒸气发生化学反应，生成羟基氧化铝以及烷基气体，所述羟基氧化铝附着于所述衬底基板上形成羟基氧化铝薄膜，所述烷基气体经由所述反应室的抽气系统排出；步骤S30，将制备有所述羟基氧化铝薄膜的所述衬底基板移出所述反应室，在所述羟基氧化铝薄膜上形成氮化硅薄膜，所述羟基氧化铝薄膜与所述氮化硅薄膜形成钝化层。